技術(shù)編號：7103381
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的實施例總體而言涉及ー種，更具體而言涉及ー種具有三維(3D)結(jié)構(gòu)的。背景技術(shù)隨著存儲器件領(lǐng)域例如非易失性存儲器件的進展，對存儲器件的高集成度的要求日益提高。在已知技術(shù)中，通過使用減小以ニ維(2D)方式布置在半導(dǎo)體襯底之上的存儲器單元的尺寸的方法來增大特定面積內(nèi)的存儲器件的集成度。然而，存儲器單元的尺寸的減小在物理上是有限的。為此，最近提出一種通過將存儲器單元以3D方式布置在半導(dǎo)體襯底之上來制造高度集成的存儲器件的方法。如果，如上所述，存儲器單元以3D...
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