技術(shù)編號(hào)：7103375
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，特別是涉及內(nèi)設(shè)有絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及維持設(shè)有用以改善IGBT的斷開特性而設(shè)的P溝道MOS晶體管(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的半導(dǎo)體裝置的耐壓特性并減少占有面積的結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 作為處理大功率的功率器件，已知有IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)。在等效電路上，該IGBT用MOS晶體管(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)控制雙極型晶體管的基極電流。IGBT兼具M(jìn)OS晶體管的高速開關(guān)特性和雙極型晶體管的高電...
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