技術(shù)編號(hào)：7103251
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及陶瓷金屬化領(lǐng)域，具體涉及。 背景技術(shù)在半導(dǎo)體模塊的發(fā)展過(guò)程中，隨著集成化程度的提高和體積的減小，單位散熱面積上的功耗增加，散熱成為半導(dǎo)體模塊制造中的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題；同時(shí)，由于可靠性及環(huán)境保護(hù)的倍受關(guān)注，業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體模塊的電路基板材料普遍提出了高熱導(dǎo)率、高可靠性、低環(huán)境污染等性能要求。傳統(tǒng)使用的BeO電路基板材料在生產(chǎn)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生有毒粉塵，對(duì)操作環(huán)境要求苛刻；而SiC電路基板材料的介電常數(shù)較大、高頻損耗大、可靠性低。為了克服傳統(tǒng)電路基板的上述缺陷，本...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。