技術(shù)編號：7103091
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及ー種低溫ニ氧化硅薄膜的形成方法。背景技術(shù)目前，低溫ニ氧化硅薄膜被廣泛應(yīng)用于光阻上方的硬掩膜層。例如，在90nm、65nm或45nm的雙大馬士革(Dual Damascene)エ藝中，形成通孔(via)之后會在通孔中填充底部抗反射層(Bare)等類似填充物,然后再通過光刻和刻蝕等エ藝形成溝槽(Trench),此時作為硬掩膜層的ニ氧化硅必然選用低溫ニ氧化硅，以避免該硬掩膜層的沉積溫度過高影響下方的Barc等膜層的性質(zhì)。所述低...
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