技術(shù)編號(hào)：7102001
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明有關(guān)于，特別有關(guān)于封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的技術(shù)中，II1-V族晶體管例如氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)結(jié)合高傳導(dǎo)電子密度、高電子遷移率和較寬的能隙，使其可在指定的反向耐壓下，顯著降低元件的導(dǎo)通電阻RDS(on)。適合于制作高頻率、大功率和高效率的電子器件。因此II1-V族晶體管特別GaN HEMT逐漸成為技術(shù)研究發(fā)展的重點(diǎn)。然而，目前的封裝方式容易有散熱不佳的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明有關(guān)于一種。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有高的散熱效果。...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。