技術編號：7101808
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種新型二氧化鈦背反射結構硅基薄膜太陽能電池，屬于硅基薄膜太陽能電池生產(chǎn)。背景技術硅基薄膜太陽能電池由于其技術成熟、環(huán)境友好、制備成本低、可制備于柔性襯底上、可制備透光型電池等諸多優(yōu)點而被廣泛地進行批量生產(chǎn)并應用于地面太陽能電站以及光伏幕墻、屋頂電站等光伏建筑一體化(BIPV)等。對于高效率硅基薄膜太陽能電池來說，盡量多地吸收入射光可以產(chǎn)生高的光生電流，陷光技術是最重要、最有效的光管理技術，可以使硅基薄膜太陽能電池有效地吸收入射光。在硅基薄膜太陽...
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