技術(shù)編號：7101098
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電路器件和電路器件的制造與結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)襯底上的電路器件(例如，半導(dǎo)體(例如硅)襯底上的集成電路(IC)晶體管、電阻器、電容器等)性能的增強，通常是那些器件的設(shè)計、制造和運行過程中所考慮的主要因素。例如，在金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管器件(例如用在互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)中的那些器件)的設(shè)計和制造或形成期間，常常需要提高N型MOS器件(n-MOS)溝道中的電子移動，并需要提高P型MOS器件(p-MOS)溝道中的正電荷空穴的移動。評定器...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。