技術(shù)編號(hào):7100419
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開(kāi)涉及一種用于處理如晶片等襯底的襯底處理設(shè)備、用于控制該襯底處理設(shè)備的程序以及用于制造半導(dǎo)體器件的方法,其中,在半導(dǎo)體襯底(例如半導(dǎo)體晶片)上執(zhí)行薄膜形成工藝等以在其上制造半導(dǎo)體集成電路(此后稱為“1C”)。更特別地,本公開(kāi)涉及一種具有容納多個(gè)襯底的多個(gè)襯底容器的襯底處理設(shè)備、用于控制該襯底處理設(shè)備的程序以及用于制造半導(dǎo)體器件的方法,其中,將第一襯底容器內(nèi)的襯底連續(xù)地單獨(dú)運(yùn)送(或載運(yùn))至處理腔以便進(jìn)行處理,并且隨后,當(dāng)?shù)谝灰r底容器內(nèi)的襯底的處理完成時(shí),...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。