技術(shù)編號：7099577
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的實施例一般涉及半導體裝置結(jié)構(gòu)以及相關(guān)的制造方法，且更特別的是，本發(fā)明的實施例涉及形成在半導體材料的電性隔離區(qū)域上的裝置及其制造方法。背景技術(shù)晶體管，例如金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，其為大多數(shù)半導體裝置方塊的核心構(gòu)件塊。部分半導體裝置，例如高效率處理器裝置，可以包括數(shù)百萬的晶體管。對于此種裝置，減少晶體管尺寸并因此增加晶體管密度在半導體制造產(chǎn)業(yè)中具有傳統(tǒng)上高的優(yōu)先級。增加密度必須涉及減少相鄰裝置之間的區(qū)域，其依序在裝置間需要可靠的隔...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。