技術(shù)編號(hào)：7099471
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造エ藝領(lǐng)域，尤其涉及ー種超高壓B⑶半導(dǎo)體エ藝以及超高壓B⑶器件。背景技術(shù)B⑶是ー種單片集成エ藝技術(shù)，這種技術(shù)能夠在同一芯片上制作雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor), CMOS和DMOS器件。BCDエ藝不僅綜合了雙極型器件高跨導(dǎo)、強(qiáng)負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力和CMOS集成度高、低功耗的優(yōu)點(diǎn)，而且集成進(jìn)了高耐壓DMOS功率器件。由于DMOS同時(shí)具有高壓和高速開關(guān)的特性，因而用BCDエ藝制造的電源管理芯片能エ作在是高壓和高...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。