技術編號:7099288
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體集成電路領域,特別是涉及一種成長低應力IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)溝槽型柵極的方法。背景技術在半導體各類器件結構中,溝槽式晶閘管由于其特殊的通道特性和電學特征被廣泛運用于各類功率器件,特別是IGBT器件。由于溝槽式晶閘管獨特的高壓高電流的工作環(huán)境,要求其具有較大尺寸的溝槽柵極。隨著終端客戶對器件的性能要求的提升,器件所需要的溝槽愈來愈深,由此帶來的溝槽式柵極的應力愈發(fā)突出。嚴重的應力將導致硅片翹曲度增加,導致整個IGBT工藝流程特別是光...
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