技術(shù)編號(hào)：7099139
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體，更具體地來(lái)說(shuō)，涉及監(jiān)控外延輪廓的方法和系統(tǒng)。背景技術(shù)在大量電子器件(諸如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話以及其他電子器件)中使用半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件還包括集成電路，通過(guò)在半導(dǎo)體晶圓的上方沉積許多類型的薄膜材料以及圖樣化薄膜材料以形成集成電路來(lái)在半導(dǎo)體晶圓的上方形成集成電路。集成電路包括諸如金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS )晶體管的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET )。半導(dǎo)體工業(yè)的一個(gè)目標(biāo)是繼續(xù)縮小尺寸并增加各個(gè)FET的速度。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，將在小于32nm的晶體...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。