技術(shù)編號：7099123
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于顯示設(shè)備的陣列基板，特別涉及包括具有氧化物半導體層的薄膜晶體管的陣列基板，以及該陣列基板的制造方法。背景技術(shù)目前金屬氧化物半導體TFT(薄膜晶體管)的制程跟現(xiàn)有非晶硅制程類似，除傳統(tǒng)的BCE (Back Channel Etching，背通道刻蝕))結(jié)構(gòu)外，考量半導體特性會有ESL (EtchStop Layer，刻蝕阻擋層)與Co-Planar共面架構(gòu)，所需的制程需要五道或是六道光罩，制程較為復雜，制造成本較高。圖I為目前采用IGZO (I...
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