技術(shù)編號：7098280
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及量子阱生長，特別是，適用于高亮度GaN基LED外延片商業(yè)化生產(chǎn)。背景技術(shù)GaN基LED目前已經(jīng)進(jìn)入商業(yè)化生產(chǎn)階段，如何縮短GaN基LED外延片生長時間同時獲得高質(zhì)量外延片以提高產(chǎn)能成為了一個研究重點。目前均采用MOCVD進(jìn)行GaN基LED外延片商業(yè)化生產(chǎn)。由于InGaN量子阱和GaN量子壘生長溫度氣氛存在差別，在生長InGaN/GaN多量子阱過程中有很多時間用于切換量子阱和量子壘生長所需的溫度和氣氛，切換過程中為了保證外延材料質(zhì)量一般不進(jìn)行外延生...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。