技術(shù)編號(hào):7095998
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域,特別涉及一種P-LDMOS的制造方法。背景技術(shù)橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)是一種輕摻雜的MOS器件,與CMOS工藝具有非常好的兼容性。傳統(tǒng)的CMOS器件通常為源漏對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu),而LDMOS采用源漏非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)以滿足較高耐壓和相對(duì)低的導(dǎo)通電阻的需求。如圖I所示,LDMOS的源極區(qū)域設(shè)有體區(qū)1,漏極區(qū)域中設(shè)有漂移區(qū)2。其中,體區(qū)I與傳統(tǒng)的CMOS晶體管中的阱區(qū)類(lèi)似,主要用于控制LDMOS的閾值電壓;漂移區(qū)2則主要用于控制LDM...
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