技術(shù)編號：7091414
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，具體而言涉及靜電放電(ESD)保護(hù)器件及其形成方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件應(yīng)用于大量電子器件中，諸如電腦、手機(jī)、及其他。半導(dǎo)體器件包括在半導(dǎo)體晶圓上形成的集成電路，通過在半導(dǎo)體晶圓上方沉積許多類型的薄材料膜，并使薄材料膜圖案化以形成該集成電路。集成電路包括場效應(yīng)晶體管(FET)，諸如金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的目標(biāo)之一是繼續(xù)縮小單個FET的尺寸并增加單個FET的速度。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，鰭狀FET (FinFET)或者多柵...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。