技術(shù)編號：7090364
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體功率器件，涉及快速開關(guān)的硅制高壓功率器件，特別適用于娃制超結(jié)縱向雙擴(kuò)散金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(Superjunction VDM0S,即超結(jié)VDM0S，一下均簡寫為超結(jié)VDM0S)，更具體的說，涉及一種可以快速開關(guān)、超低損耗的硅制超結(jié)VDMOS的結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)目前，功率器件在日常生活、生產(chǎn)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛，特別是功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于它們擁有較快的開關(guān)速度、較小的驅(qū)動電流、較寬的安全工作區(qū)，因此受到了眾多研究者們的青睞...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。