技術(shù)編號(hào)：7090334
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。用于具有氧吸收保護(hù)層的MRAM器件的結(jié)構(gòu)和方法本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地來說，涉及一種用于具有氧吸收保護(hù)層的MRAM器件的結(jié)構(gòu)和方法。背景技術(shù)在集成電路(IC)器件中，磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)是用于下一代嵌入式存儲(chǔ)器件的新興技術(shù)。MRAM是包括MRAM單元陣列的存儲(chǔ)器件，其中，每個(gè)MRAM單元都使用阻抗值而不是電荷來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位。每個(gè)MRAM單元都包括磁隧道結(jié)(“MTJ”)單元，可以將磁隧道結(jié)單元的阻抗調(diào)整為表示邏輯“O”或邏輯“I”。傳統(tǒng)地...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。