技術編號：7089978
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型公開了一種氧化物半導體薄膜晶體管，是在絕緣襯底(101)上形成AL源漏電極層(102)，該源漏電極層(102)的上表面與絕緣襯底的上表面在同一平面上；將絕緣襯底置入鍍膜機，在氫氣氛中蒸鍍一層極薄的富氫Al膜(301)；將絕緣襯底置入磁控濺射設備，500-600攝氏度溫度下，在絕緣襯底(101)沉積氧化物半導體層，以獲得源漏電極層與氧化物半導體層(103)的界面區(qū)域引入的氫濃度分布；在氧化物半導體層(103)上沉積氮化硅柵極絕緣層(104)，該柵極...
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