技術(shù)編號(hào)：7088737
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括離子摻雜層、氧化物層、多晶硅層和氮化鈦層。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在所述設(shè)有離子摻雜區(qū)域的離子摻雜層上形成一層氮化鈦保護(hù)層，在使用X射線等高能量射線對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試時(shí)，可以保護(hù)所述離子摻雜區(qū)域內(nèi)的摻雜離子不受所述X射線等高能量射線的破壞，使得所述摻雜離子的離子摻雜層的性能比較穩(wěn)定；在所述離子摻雜層上設(shè)有氧化物層和多晶硅層，可以使得所述離子摻雜區(qū)域內(nèi)的離子摻雜更加均勻。專利說明一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) [0001]本...
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