技術(shù)編號：7088189
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本文中描述的實施例一般而言涉及磁阻元件和磁存儲器。背景技術(shù)磁阻元件具有包括具有恒定磁化的磁性層(參考層)、具有可變磁化的磁性能(存儲層)以及在這兩個磁性層之間的非磁性層的疊層結(jié)構(gòu)作為基本結(jié)構(gòu)，并被用于磁隨機存取存儲器的存儲器基元(memory cell)或可重構(gòu)的邏輯電路的自旋場效應(yīng)晶體管(FET)的LSI等等。在該情況下，以柱狀來構(gòu)圖磁阻元件。此外，作為磁阻元件中固有的問題，存在這樣的問題存儲層的磁滯曲線因受由參考層的磁化導(dǎo)致的磁場(雜散磁場)的影響而從...
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