技術(shù)編號：7085902
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制備方法，尤其涉及一種上、下。背景技術(shù)SOI (Silicon On Insulator)因其獨特的結(jié)構(gòu)以及一系列優(yōu)良性能,可以實現(xiàn)集成電路制造中元器件的絕緣隔離，消除體硅CMOS中的寄生閂鎖效應(yīng)；同時，CM0S/S0I電路還具有寄生電容小、集成度高、速度快、功耗低、工作溫度高(300°C)、抗輻照等一系列優(yōu)點。 因此，SOI材料將是更細線條(O. I μ m)集成電路的主要材料之一，預(yù)計當(dāng)集成度達到IGb使用Φ 300mm硅片時...
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