技術(shù)編號(hào)：7084788
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。 背景技術(shù)近年來，為了應(yīng)對(duì)增長的信息處理量和功能的復(fù)雜化，強(qiáng)烈期待大規(guī)模半導(dǎo)體集 成電路(ULSI)能有更高的處理速度。ULSI的高速化依靠芯片內(nèi)元件的微細(xì)化、高集成化、 膜的多層化而得以實(shí)現(xiàn)。但是，隨著元件的微細(xì)化，布線電阻、布線間寄生電容增大，布線延 遲成為設(shè)備整體信號(hào)延遲的主要原因。為了避免這個(gè)問題，低電阻率布線材料、低介電常數(shù) (Low-k)層間絕緣膜材料的導(dǎo)入就成為必須的技術(shù)。低介電常數(shù)的層間絕緣膜，例如，可以舉出使二氧化硅(SiO2...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。