技術(shù)編號(hào):7082534
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。背景技術(shù)在功率晶體管組件中,漏極與源極間導(dǎo)通電阻RDS(on)的大小與組件的功率消耗成正比,因此降低導(dǎo)通電阻RDS(on)的大小可減少功率晶體管組件所消耗的功率。于導(dǎo)通電阻RDS(on)中,用于耐壓的外延層所造成的電阻值所占的比例為最高。雖然增加外延層中導(dǎo)電物質(zhì)的摻雜濃度可降低外延層的電阻值,但外延層的作用是用于承受高電壓。若增加摻雜濃度會(huì)降低外延層的崩潰電壓,因而降低功率晶體管組件的耐壓能力。為了維持或提升功率晶體管組件的耐壓能力,并降低...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。