技術(shù)編號：7081432
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體裝置，特別涉及適合于功率半導體裝置的結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)<第一現(xiàn)有技術(shù)> 以往，已知被稱為殼體型的半導體裝置。在該殼體型半導體裝置中，在由Cu基座板和殼體形成的箱體之中容納有半導體芯片(例如，IGBT (Insulated Gate BipolarTransistor 絕緣柵雙極晶體管)和二極管的對)等。更具體地說，此種半導體裝置具有絕緣基板(由在兩面形成有金屬層的絕緣性板狀構(gòu)件(氮化鋁、氮化硅、氧化鋁等)構(gòu)成)，在該絕緣基板的...
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