技術(shù)編號：7081115
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。具有高空穴濃度的P-GaN藍光LED外延結(jié)構(gòu)，涉及發(fā)光二極管外延。本實用新型從下至上依次包括藍寶石襯底、AlN緩沖層、U型GaN層、N型GaN層、有源區(qū)、電子阻擋層和P型GaN層。其結(jié)構(gòu)特點是，所述P型GaN層從下至上依次包括交替生長的AlxGa1-xN層和MgN-In層，位于最頂層的MgN-In層上方置有P-AlGaN層。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有較高的勢壘高度，使載流子更容易躍遷到有源區(qū)，能夠有效提高空穴濃度和遷移率，改善晶體質(zhì)量，從而提高LED的...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。