技術(shù)編號:7078660
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型公開了一種生長在金屬Al襯底上的LED外延片,其包括金屬Al襯底、以金屬Al襯底(111)晶面為外延面,在金屬Al襯底上生長的Al2O3保護(hù)層,以及以晶體外延取向關(guān)系為GaN(0001)//Al2O3(0001)//Al(111),在Al2O3保護(hù)層上由下自上生長的U-GaN薄膜層、N-GaN薄膜層、InGaN/GaN多量子阱層、p型GaN薄膜。本實(shí)用新型通過選擇合適的晶體取向,Al(111)襯底上獲得的高質(zhì)量GaN外延薄膜,以提高了LED的發(fā)光...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。