技術編號：7077076
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于微納電子學，涉及相變隨機存儲器芯片，具體涉及相變隨機存儲器陣列與CMOS流片外圍電路芯片的集成方法。背景技術近年來，F(xiàn)lash作為非易失性存儲器的代表，在日常生活中得到廣泛應用，手機、MP3播放器、U盤、數碼照相機等產品中均可見其身影。但是由于Flash技術在持續(xù)縮小上有一定的局限性，而且信息讀取時間較慢，擦寫次數只有約IO5次左右，許多先進的半導體制作商和科研機構均投入下一代非易失性存儲器的研發(fā)中。目前主要研究的新型非易失存儲器有鐵電隨機存儲器...
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