技術(shù)編號:7076392
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型提供一種閃存測試結(jié)構(gòu),至少包括基底與其上表面的氧化層;該氧化層上表面由下而上依次堆疊有浮柵、絕緣層及控制柵;該控制柵上表面刻蝕有平行排列且與所述氧化層上表面貫通的若干第一條形槽;浮柵、絕緣層以及控制柵的側(cè)壁及第一條形槽的側(cè)壁均設(shè)有保護(hù)層;刻蝕于控制柵上表面、與若干第一條形槽以及控制柵側(cè)壁相交的第二條形槽;第二條形槽間斷于保護(hù)層處;第二條形槽無間斷的區(qū)域與絕緣層上表面貫通;第二條形槽左、右兩邊的所述控制柵之間加有電壓。本實(shí)用新型在控制柵表面增加第一...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。