技術(shù)編號(hào)：7075508
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型公開了一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延片，它屬于發(fā)光二極管。它包括襯底，以及從下至上依次外延生長(zhǎng)于所述襯底之上的緩沖層、非摻雜u型GaN層、n型GaN層、InGaN/GaN多量子阱有源發(fā)光層、p型AlGaN層、p型GaN層、無(wú)摻雜AlxInyGa(1-x-y)N層和p型接觸層，所述無(wú)摻雜AlxInyGa(1-x-y)N層中x與y均大于0且x與y之和小于1。本實(shí)用新型用于制造藍(lán)光發(fā)光二極管，它可以抑制金屬電極下方的載流子的輸運(yùn)和復(fù)合發(fā)光，提高對(duì)電子的阻擋...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。