技術(shù)編號:7074353
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型公開了一種生長在GaAs襯底上的InGaAsN薄膜,包括生長在GaAs襯底上的GaAs緩沖層、生長在GaAs緩沖層上的InGaAsN外延層薄膜。本實(shí)用新型得到的InGaAsN薄膜表面平整、成分均勻,帶寬為1eV,對半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,尤其是太陽電池領(lǐng)域,有著積極的促進(jìn)意義。專利說明一種生長在GaAs襯底上的InGaAsN薄膜[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體疊層太陽電池材料的,特別涉及一種生長在GaAs襯底上的InGaAsN薄膜。背景技術(shù)[0002]隨...
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