技術編號：7073138
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型提供了一種可集成的高壓LDMOS器件結構，其中包括P型襯底、高壓N阱漂移區(qū)、P型降場區(qū)、場氧化層、柵氧化層、多晶硅柵、多晶硅場板、P型基區(qū)、N型漏區(qū)緩沖層、N+源區(qū)、N+漏區(qū)、P+接觸區(qū)、低溫淀積氧化層、金屬鋁；其特征在于在無外延單晶襯底上采用P型降場區(qū)、多晶硅和金屬雙層場板、N型漏區(qū)緩沖層組合優(yōu)化結構；有效解決了擊穿電壓和導通電阻之間的矛盾，同時提高了器件的可靠性。本實用新型采用無外延單晶高壓BCD工藝，少了埋層、隔離、外延等工序，降低了制造成...
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