技術(shù)編號：7069288
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施方式涉及ー種絕緣柵型的功率用半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)作為對汽車、鉄路車輛、其它產(chǎn)業(yè)用馬達(dá)等進(jìn)行驅(qū)動的電源設(shè)備的開關(guān)元件，使用 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor 絕緣柵雙極型晶體管)、IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor 注入增強(qiáng)柵晶體管)等(下面稱作IGBT等)。在這些功率用半導(dǎo)體裝置中，要求高耐壓化、大電流化、低損耗化，因此使用提高溝道密度來實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電阻的降低的...
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