技術(shù)編號：7068198
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種。背景技術(shù)碳化硅材料具有寬帶隙，高擊穿場強(qiáng)，高熱導(dǎo)率，高飽和電子遷移速率，極好的物理化學(xué)穩(wěn)定性等特性。十分適用于高溫，高頻，大功率和極端環(huán)境下工作。以碳化硅金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(metal-oxide-semiconductor field effect transistors-MOSFETs) 為例，它的器件性能可達(dá)到與Si IGBT相近的功率容量，但功率損耗遠(yuǎn)小于后者而且具有較好的頻率特性，在近些年來備受關(guān)注。然而，S...
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