技術編號：7068085
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型公開了一種MOSFET功率器件的終端結構，終端結構形成在終端區(qū)中，終端區(qū)環(huán)繞在主動區(qū)周側；主動區(qū)中的P阱和N-外延層形成的PN結為主結；終端結構包括多晶硅場板、第一金屬場板、第二金屬場板和溝槽截止環(huán)；多晶硅場板由形成于主動區(qū)中的多晶硅柵延伸形成，且多晶硅場板下的第一介質(zhì)層厚度大于多晶硅柵下的柵介質(zhì)層厚度。溝槽截止環(huán)形成于終端區(qū)的最外側；在第一介質(zhì)層表面形成有第二介質(zhì)層，第一和二金屬場板形成于第二介質(zhì)層表面；在橫向上第一和二金屬場板之間相隔一段距離...
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