技術(shù)編號：7066174
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。公開了一種。在現(xiàn)有的可見光光電二極管的第一半導(dǎo)體區(qū)域的受光表面一側(cè)形成下凹結(jié)構(gòu)從而使得其對紫外線敏感。由此，可以基于標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝(例如CMOS工藝)制造紫外探測光電二極管，降低了生產(chǎn)成本。并且，由于可以采用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝制造，可以與其它的電路元件集成制造紫外探測器集成電路。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，具體涉及一種。 背景技術(shù) [0002]在現(xiàn)有技術(shù)中，紫外線探測器大多采用和集成電路不兼容的特殊工藝制造，和檢測電路無法集成在同一個...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。