技術(shù)編號：7064981
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種溝槽功率MOSFET器件的靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述溝槽功率MOSFET器件的有源區(qū)外圍的柵極引出端設(shè)置區(qū)域中，其中一部分區(qū)域設(shè)置了柵極引出端，另一部分區(qū)域設(shè)置了若干個靜電保護(hù)引出端，該靜電保護(hù)引出端包括至少一對PN結(jié)，PN結(jié)兩端分別與溝槽功率MOSFET器件的源極和柵極連接。另外本發(fā)明還公開了帶上述靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET器件以及制作方法，該靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)無需在溝槽功率MOSFET器件上額外規(guī)劃出ESD區(qū)域，節(jié)省了溝槽功率MOSFET器件的面...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。