技術編號：7063926
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了，具體步驟為在基板上先后形成緩沖層和非晶硅層；通過元素摻雜技術對非晶硅層進行區(qū)域選擇性摻雜，在非晶硅層中形成摻雜區(qū)域和非摻雜區(qū)域相間的周期性結(jié)構；對上述非晶硅層進行激光晶化，得到低溫多晶硅薄膜。非晶硅層接受激光束照射，摻雜區(qū)域和非摻雜區(qū)域因?qū)す饽芰课漳芰Σ煌纬赏耆廴趨^(qū)域和非完全熔融區(qū)域，完全熔融區(qū)域和非完全熔融區(qū)域存在橫向溫度梯度，從而促進和控制晶核的超級橫向晶化，增大了晶粒尺寸。本發(fā)明通過摻雜的方法，構建超級橫向晶化條件，有利于成長...
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