技術(shù)編號：7063742
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及。背景技術(shù)通常，可通過層間電介質(zhì)(ILD)制造源極和漏極到有源器件的接觸，其中，層間電介質(zhì)被形成為幫助有源器件與上覆的金屬層電隔離。這些接觸可通過以下處理形成形成穿過ILD的開口以露出襯底中期望形成接觸的那些部分，然后形成自對準(zhǔn)硅化物(還已知為自對準(zhǔn)多晶硅化物)。自對準(zhǔn)多晶硅化物可通過在開口中并正對襯底形成金屬層、然后對金屬層和襯底進(jìn)行退火以形成自對準(zhǔn)多晶硅化物來形成。然后，可以去除多余的金屬，從而留下自對準(zhǔn)多晶硅...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。