技術(shù)編號(hào):7063313
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。低電容多通道瞬態(tài)電壓抑制器,包括P+半導(dǎo)體襯底,P-外延層位于P+半導(dǎo)體襯底上;外延層上從左到右分別有包含第一環(huán)形P+有源注入?yún)^(qū)的左端,第一N阱,第一環(huán)形P+有源注入?yún)^(qū)的右端,第二N阱,第一P阱,第三N阱,第二環(huán)形P+有源注入?yún)^(qū)的左端,第四N阱,第二環(huán)形P+有源注入?yún)^(qū)的右端。所述的第一N阱和第四N阱上分別設(shè)有第一N+有源注入?yún)^(qū)和第五N+有源注入?yún)^(qū);所述的第二N阱上設(shè)有第二N+有源注入?yún)^(qū)和第二P+有源注入?yún)^(qū);所述的第一P阱上設(shè)有第三N+有源注入?yún)^(qū);所述的第三...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。