技術(shù)編號：7063147
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，包括SiC襯底、二維衍生膜及氮化物外延層，所述二維衍生膜位于所述SiC襯底及所述氮化物外延層之間，且所述二維衍生膜附著在所述SiC襯底的表面上，所述氮化物外延層附著在所述二維衍生膜上；其中，所述二維衍生膜由一層或兩層以上的二維納米片材料制成，所述二維納米片材料包括石墨烯、硅烯、六方氮化硼和三碳化硼中的任意一種或兩種以上的組合。本發(fā)明在氮化物L(fēng)ED外延層與SiC襯底之制作一層或兩層以上的二維衍生薄膜，使其既能保證氮化物外延層生長的順利進(jìn)行，又可以...
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