技術編號：7062987
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明適用于LED芯片生產領域，提供了，包括獲得經過外延生長氮化鎵層的晶圓；獲取晶圓的邊緣的倒角度和晶圓面上各點的晶圓厚度；通過計算邊緣上的多個晶圓厚度與中心晶圓厚度之間距離，確定所述距離超過閾值的一個或多個點；依據所述一個或多個點到晶圓邊緣的經長距離和所述倒角度打磨所述晶圓的邊緣，以便完成所述打磨的晶圓進行后續(xù)的減薄工序。通過對經過氮化鎵層處理過的晶圓的邊緣厚度檢測，識別不滿足厚度要求的區(qū)域，并結合晶圓邊緣倒角，對超過厚度閾值的晶圓邊緣進行打磨。從而保證...
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