技術編號：7062687
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明關于集成電路制作的領域，特別是關于一種制作內(nèi)存陣列(如一堆棧式動態(tài)隨機存取內(nèi)存裝置的內(nèi)存陣列)的方法。背景技術動態(tài)隨機存取內(nèi)存(dynamic random access memory, DRAM)等電子儲存裝置一直以來都是用來保存數(shù)據(jù)的重要來源。公知的半導體DRAM—般會整合有電容與晶體管結構，其電容一般會根據(jù)其充電狀態(tài)來暫時性地儲存資料。一般而言，這類型的半導體內(nèi)存通常需要大量密集、可輕易透過電性互連結構來進行存取的電容結構。 上述電容與晶體管結...
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