技術(shù)編號：7062199
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種基于雙柵極結(jié)構(gòu)的低溫多晶硅薄膜晶體管，以及一種形成雙柵極結(jié)構(gòu)的低溫多晶硅薄膜晶體管的制備方法，包括一基板；至少一圖案化非晶硅層位于所述基板上的一阻隔層內(nèi)，所述至少一圖案化非晶硅層構(gòu)成一底柵極；一N型金屬氧化半導(dǎo)體，位于所述阻隔層上；以及一P型金屬氧化半導(dǎo)體，位于所述阻隔層上；其中，所述N型金屬氧化半導(dǎo)體成一圖案化柵極電極層與所述至少一圖案化非晶硅層形成的所述底柵極結(jié)合成雙柵極結(jié)構(gòu)，使電流-電壓特性更加穩(wěn)定，導(dǎo)通電流明顯改善，驅(qū)動(dòng)能力增加，降...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。