技術編號：7062048
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種，外延結構依次包括襯底、GaN緩沖層、N型GaN層、量子阱層、P型GaN層，所述量子阱層包括InxGa(1-x)N勢阱層和GaN勢壘層，其特征在于，所述量子阱層上方生長有AlxGa(1-x)N覆蓋層。本發(fā)明中能夠更好把量子阱層中的In局限在一層極薄的薄膜中防止In的擴散，有效緩解因升溫帶來的In聚集效應，同時還能提高量子阱的晶體質量，提高量子阱中的發(fā)光效率和均勻性，從而提高亮度。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及半導體發(fā)光器件，特別是涉...
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