技術(shù)編號：7062039
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了，通過在N型漂移區(qū)頂部刻蝕形成溝槽后，在溝槽側(cè)壁處制備一層P型外延層，之后回填N型外延層將溝槽進行填充，之后進行退火處理，形成高深寬比的P柱區(qū)和N柱區(qū)。本發(fā)明不需要通過多次外延和離子注入工藝，也無需刻蝕形成刻蝕高深寬比的溝槽，工藝簡單，有效減小器件的晶胞尺寸，降低導(dǎo)通電阻，降低成本。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制備領(lǐng)域，具體涉及。 背景技術(shù) [0002]功率半導(dǎo)體器件是不斷發(fā)展的功率電子系統(tǒng)的內(nèi)在驅(qū)動力。尤其是在節(jié)約能源...
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