技術(shù)編號(hào)：7061628
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了，包含如下步驟第一步，在對(duì)ONO膜層進(jìn)行刻蝕時(shí)，采用金屬硅化物絕緣層的掩膜版，保留SONOS區(qū)域的ONO膜層，其他金屬硅化物絕緣層區(qū)域的ONO膜層也同時(shí)保留；第二步，進(jìn)行器件結(jié)構(gòu)的制作；第三步，以保留的ONO膜層作為金屬硅化物絕緣層，器件表面生成金屬硅化物；第四步，沉積金屬，并經(jīng)過(guò)快速退火處理；第五步，去除不需要的金屬沉積層。本發(fā)明采用保留的ONO膜層作為金屬硅化物絕緣層，比傳統(tǒng)工藝少使用一層掩膜版。專利說(shuō)明 [0001] 本發(fā)明涉及集成...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。