技術編號：7061403
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及超結結構半導體器件，它呈現(xiàn)出高擊穿電壓和高電流容量，并且可被應用于絕緣柵場效應晶體管(在下文中稱為“M0SFET”)、絕緣柵雙極晶體管(在下文中稱為“IGBT”)和雙極晶體管。背景技術含有漂移層的垂直功率半導體器件是本領域技術人員公知的，漂移層包括交替排列且兩者與半導體器件的主表面(下文簡稱為“主表面”)平行地彼 此鄰接的重摻雜η-型區(qū)域和重摻雜P-型區(qū)域。重摻雜的η-型區(qū)域和重摻雜的ρ-型區(qū)域的形狀被形成為在與主表面垂直的方向上長且在與主表面平...
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