技術(shù)編號：7061330
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種CMOS圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)，包括置于半導(dǎo)體基體中的光電二極管、電荷傳輸晶體管、復(fù)位晶體管、源跟隨晶體管、選擇晶體管、漂浮有源區(qū)，電荷傳輸晶體管的柵極制作在所述半導(dǎo)體基體內(nèi)部，電荷傳輸晶體管的柵極與所述光電二極管之間設(shè)置有P型離子隔離區(qū)。電荷傳輸晶體管工作時，其溝道附近的電場方向由電荷傳輸晶體管柵極指向光電二極管，沿著電場線方向的電勢逐漸降低；電荷傳輸晶體管從開啟狀態(tài)轉(zhuǎn)換到關(guān)閉狀態(tài)過程中，P型離子隔離區(qū)和電荷傳輸晶體管溝道中的電子只能沿著電場...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。