技術(shù)編號:7060899
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種提高CCD器件用P型硅外延片電阻率均勻性的方法。該方法在所需外延層生長前先制備本征層,以隔絕襯底表面及背面邊緣和外延爐爐腔內(nèi)的雜質(zhì)揮發(fā)外逸到所需外延層,同時采用提高溫度解析掉吸附在表面的有害雜質(zhì),并通過不斷變化的氣流量,將反應(yīng)爐腔內(nèi)的雜質(zhì)排除出去,有效抑制非主動摻雜源,之后進行所需參數(shù)外延層的生長,以實現(xiàn)高電阻率均勻性的外延層。該方法通過將基座包硅技術(shù)、兩步外延生長技術(shù)以及變溫變流量吹掃技術(shù)的有機結(jié)合,所制備的硅外延片參數(shù)可以滿足作為大面陣、...
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